[发明专利]气体处理装置、气体处理方法和存储介质有效
申请号: | 201710482296.9 | 申请日: | 2017-06-22 |
公开(公告)号: | CN107546152B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 山下润 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供在混合多个气体而向基板供给来进行处理时、能够可靠性较高地进行该混合的气体处理装置、气体处理方法和存储介质。以如下方式构成装置:具备:第1气体流路,向其上游侧供给第1气体,其下游侧分支而构成多个第1分支路径;第2气体流路,向其上游侧供给第2气体,其下游侧分支而构成多个第2分支路径;环状的混合室,所述多个第1分支路径的各下游端与该混合室的周向上的彼此分开的第1位置连接,所述多个第2分支路径的各下游端与该混合室的周向上的彼此分开的第2位置连接,并且排出路径与该混合室连接,该混合室用于使从所述第1分支路径和第2分支路径分别向所述排出路径流动的所述第1气体和所述第2气体混合而生成混合气体。 | ||
搜索关键词: | 气体 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种气体处理装置,其特征在于,该气体处理装置具备:载置部,其设置于要形成真空气氛的处理容器内,用于载置基板;第1气体流路,从第1气体供给机构向其上游侧供给第1气体,其下游侧分支而构成多个第1分支路径;第2气体流路,从第2气体供给机构向其上游侧供给第2气体,其下游侧分支而构成多个第2分支路径;环状的混合室,所述多个第1分支路径的各下游端与所述混合室的周向上的彼此分开的第1位置连接,所述多个第2分支路径的各下游端与所述混合室的周向上的彼此分开的第2位置连接,并且排出路径与所述混合室连接,所述混合室用于使从所述第1分支路径和所述第2分支路径分别向所述排出路径流动的所述第1气体和所述第2气体混合而生成混合气体;气体喷出部,其用于将从所述排出路径供给的所述混合气体向所述基板喷出而对该基板进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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