[发明专利]集成电路封装体及其制造方法在审
| 申请号： | 201710491012.2 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107195587A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郭一凡;汪虞;李维钧 | 申请（专利权）人： | 苏州日月新半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/552;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 215026 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路封装体及其制造方法。根据本发明一实施例的集成电路封装体包括经配置以提供集成电路封装体的接地连接的接地连接结构，及遮蔽接地连接结构位于集成电路封装体内部者的绝缘壳体。其中该绝缘壳体的侧壁具有位于上方的斜坡及位于下方的垂直部，垂直部的高度小于该集成电路封装体所要屏蔽的目标干扰波波长的1/10。集成电路封装体进一步包含屏蔽金属层与屏蔽导电柱，其中屏蔽金属层仅覆盖在该绝缘壳体的上表面及斜坡，而屏蔽导电柱设置于绝缘壳体内且经配置以电连接该屏蔽金属层与接地连接结构。根据本发明实施例的集成电路封装体及其制造方法可以简化制造工艺、降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路封装体，其包括：接地连接结构，经配置以提供所述集成电路封装体的接地连接；绝缘壳体，其遮蔽所述接地连接结构位于所述集成电路封装体内部者；所述绝缘壳体的侧壁具有位于上方的斜坡及位于下方的垂直部，所述垂直部的高度小于所述集成电路封装体所要屏蔽的目标干扰波波长的1/10；屏蔽金属层，其仅覆盖在所述绝缘壳体的上表面及所述斜坡；以及屏蔽导电柱，设置于所述绝缘壳体内且经配置以电连接所述屏蔽金属层与所述接地连接结构。
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