[发明专利]低温多晶硅阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅阵列基板，包括低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管上方的平坦层、背镀氧化铟锡层、以及所述背镀氧化铟锡层表面的绝缘层；所述背镀氧化铟锡层上形成有刻度标记，所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层上开设的镂空图案，所述绝缘层贴合在所述背镀氧化铟锡层表面并完全覆盖所述刻度标记，或者所述绝缘层镂空设置，露出所述刻度标记的中间区域。本发明的低温多晶硅阵列基板制作方法简单，通过将背镀氧化铟锡层上的刻度标记与其上的绝缘层经过特别设计后，可以有效地改善离子体氮化硅脱落现象，大幅提高基板产品的良率。

主权项

1.一种低温多晶硅阵列基板，其特征在于，包括低温多晶硅薄膜晶体管(10)、低温多晶硅薄膜晶体管(10)上方的平坦层(20)、背镀氧化铟锡层(30)以及所述背镀氧化铟锡层(30)表面的绝缘层(40)；所述背镀氧化铟锡层(30)上形成有刻度标记，所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层(30)上开设的镂空图案，所述绝缘层(40)贴合在所述背镀氧化铟锡层(30)表面并完全覆盖所述刻度标记，所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅。/n