[发明专利]气相沉积设备在审
| 申请号： | 201710505502.3 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107267961A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘凤举 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/509 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气相沉积设备，包括腔体、第一电极、第二电极以及进气管，所述腔体上开设有进气口和排气口，所述第一电极、所述第二电极设于所述腔体内且分别接高频交流电和接地，所述第一电极设于所述进气口所在侧，所述第二电极与所述第一电极平行且相对设置；所述第一电极包括朝向所述进气口的第一开口和背向所述进气口、与所述第一开口连通的第二开口，所述进气管自所述进气口引入并连接在所述第一开口。本发明的第一电极上具有连通进气管的第一开口和喷出气体的第二开口，通过将第一电极外接高频交流电，即可将通入的气体朝第一电极与第二电极的间隙喷出，不需要额外设计喷头，减少了零部件数量，也减小了设备体积。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种气相沉积设备，其特征在于，包括腔体(10)、第一电极(11)、第二电极(12)以及进气管(13)，所述腔体(10)上开设有进气口和排气口，所述第一电极(11)、所述第二电极(12)设于所述腔体(10)内且分别接高频交流电和接地，所述第一电极(11)设于所述进气口所在侧，所述第二电极(12)与所述第一电极(11)平行且相对设置；所述第一电极(11)包括朝向所述进气口的第一开口(111)和背向所述进气口、与所述第一开口(111)连通的第二开口(112)，所述进气管(13)自所述进气口引入并连接在所述第一开口(111)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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