[发明专利]半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 201710508177.6 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148273B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王士京 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括掩膜层及位于所述掩膜层上的第一介质层，所述第一介质层包括多个间隔设置的第一介质块；在所述掩膜层及所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层位于相邻所述第一介质块之间处形成凹槽；在所述凹槽中形成第三介质层；去除所述第二介质层位于所述第三介质层和第一介质层之间的部分，暴露出所述掩膜层；刻蚀所述掩膜层形成开口；以及去除第一介质层、剩余的第二介质层及第三介质层。上述过程提供了一种新的ASQP(Anti‑Self‑aligned Quadra Patterning，抗自对准四重图形)过程，能够有效改善SADP工艺中形貌不平稳、刻蚀深度不一致等缺陷，可以适用于关键尺寸为5nm甚至更小尺寸的工艺节点中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供前端结构，所述前端结构包括掩膜层及位于所述掩膜层上的第一介质层，所述第一介质层包括多个间隔设置的第一介质块；在所述掩膜层及所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层位于相邻所述第一介质块之间处形成凹槽；在所述凹槽中形成第三介质层；去除所述第二介质层位于所述第三介质层和第一介质层之间的部分，暴露出所述掩膜层；刻蚀所述掩膜层形成开口；以及去除所述第一介质层、剩余的第二介质层及所述第三介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
