[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201710514460.X | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216325A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄文聪;李明颖;王世钰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括一晶体管。晶体管包括一半导体基底、一第一源/漏极侧掺杂区、一第二源/漏极侧掺杂区及一栅结构。第一源/漏极侧掺杂区包括导电型相反于半导体基底的一下掺杂部分。第二源/漏极侧掺杂区包括一第一掺杂部分从半导体基底的一上表面向下延伸。第二源/漏极侧掺杂区与半导体基底之间具有一底PN结。下掺杂部分的一底表面位置低于底PN结。第一掺杂部分的掺杂质浓度大于下掺杂部分的相同导电型的掺杂质浓度。栅结构在第一源/漏极侧掺杂区与第二源/漏极侧掺杂区之间的半导体基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 源/漏极 掺杂区 半导体基底 掺杂 半导体结构 掺杂质 导电型 栅结构 晶体管 表面位置 向下延伸 上表面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括一晶体管，该晶体管包括：一半导体基底；一第一源/漏极侧掺杂区，包括导电型相反于该半导体基底的一下掺杂部分；一第二源/漏极侧掺杂区，包括一第一掺杂部分从该半导体基底的一上表面向下延伸，并与该半导体基底之间具有一底PN结，其中该下掺杂部分的一底表面位置低于该底PN结，该第一掺杂部分的掺杂质浓度大于该下掺杂部分的相同导电型的掺杂质浓度；以及一栅结构，在该第一源/漏极侧掺杂区与该第二源/漏极侧掺杂区之间的该半导体基底上。
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