[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710519874.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107731911B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 西村武义 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/082;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在SJ结构的半导体装置中，将本体区域和电流检测区域进行分离并抑制耐压下降。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；包括形成在半导体基板的内部的1个以上的工作用单元的本体区域；包括形成在半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元的电流检测区域；以及在半导体基板的内部设置在本体区域和电流检测区域之间，包括耐压结构部的中间区域，在本体区域、电流检测区域和中间区域中，使第1导电型的管柱和第2导电型的管柱以等间隔交替地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；本体区域，其包括形成在所述半导体基板的内部的1个以上的工作用单元；电流检测区域，其包括形成在所述半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元；以及中间区域，其在所述半导体基板的内部设置在所述本体区域和所述电流检测区域之间，并且包括耐压结构部，在所述本体区域、所述电流检测区域和所述中间区域，第1导电型的管柱和第2导电型的管柱以等间隔交替配置。
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