[发明专利]一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法

摘要

本发明涉及一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法，包扩原料N型硅单晶片（1），预沉积后高浓度N+层（2），推结后高浓度N+扩散层（3），粘片工装（4），由N型硅单晶片粘片后形成的硅片棒（5），一次成型N型单晶片（6），二次成型N型硅单晶片（7），二次成型N型硅单晶片（7）可作为半成品直接用于二极管芯片的接下来的其它制程，本发明的优点是免去了二极管芯片制程中去除单面无效N+层的全部过程，同时获得设有高浓度N+扩散层（3）的二次成型N型硅单晶片（7），大幅提升N型硅单晶片（1）在二极管芯片制程中的利用率，并且获得高浓度N+层，保证N型硅单晶片（7）的串联电阻，既保持了二极管衬底层质量，又大幅降低生产成本。

主权项

一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法，其制作方法包括以下步骤：a)选取N型单晶片（1）做原材料，片厚为460‑700μm ，电阻率为50‑95Ω·cm；b)磷预沉积：通过SPM清洗后，将N型单晶片（1）装片并推进预沉积扩散炉，进行预沉积，温度为1180±10℃，时间为2±0.5小时，通过磷预扩在N型单晶片（1）的正、背面扩散入一层高浓度N+层（2）；c)推结：将N型硅单晶片（1）装片并推进推结扩散炉，进行推结，温度为1275±10℃，时间为19±2小时，通过推结将已扩散入N型硅单晶片（1）的正、背面的N+杂质通过高温进一步扩散， N+扩散层（3）单面扩散结深为120‑250μm，同时，保留原始单晶层其厚度为150‑240μm；d)粘片成棒：将N型硅单晶片（1）表面涂上适量的液态源并逐片叠放装入如图4所示的工装中，粘片工装（4）中可装入200‑400片N型硅单晶片（1），将硅片压实，待蜡固化后粘接成硅片棒（5），待多线切割；e)多线切割：将硅片棒粘接在玻璃板上，依据硅片片厚计算并设定好多线线距，调整好砂浆黏度等，开启硅片多线切割设备将硅片工艺将原料N型硅单晶片（1）沿截面长轴中心线位置一切为二，同时获得2片直径相同并一侧设有推结后高浓度N+扩散层（3）的一次成型N型硅单晶片（6）；f) 磨抛：将一次成型N型硅单晶片（6）的原始N型面进行磨片、抛光或者酸腐蚀处理，去除量为10‑30微米，形成二次成型N型硅单晶片（7），二次成型N型硅单晶片（7）可作为半成品直接用于二极管芯片的接下来的其它制程。