[发明专利]一种二氧化钼六方纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710522375.8 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107162058A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 周伟家;贾进;熊忐利;邓允锲 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于无机纳米材料制备的技术领域，公开了一种二氧化钼六方纳米片及其制备方法。该方法为将钼源置于管式炉内，抽真空，然后通入惰性‑还原性气体混合气，升温后恒温条件下进行反应，反应后在管式炉外部，即石英管尾部，获得二氧化钼超薄六方纳米片；所述保温温度使得钼源为气态。制得的二氧化钼超薄六方纳米片形貌为超薄六方片状；宏观上为蓬松的絮状，微观上是规则的六边形形貌，且大小为1～2μm，厚度≤10nm。本发明的制备方法工艺简单，操作方便，原料廉价易得，重复性好、效率高，易于实现大规模制备与生产，对制备环境要求较低，有良好的应用和产业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将钼源置于管式炉内的有效加热区域，抽真空，然后通入惰性‑还原性气体混合气，升温后保温条件下进行反应，反应后在管式炉外部，即石英管尾部，获得二氧化钼超薄六方纳米片；所述保温的温度使得钼源为气态；所述惰性‑还原性气体混合气中还原性气体的体积百分数≤50％。
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