[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 201710525414.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN108074600A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 林相吾 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C8/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;王朋飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其被设置在存储器单元阵列下方。外围电路可以包括：位线接触区域，其电联接到存储器单元阵列；第一页面缓冲器组，其被设置在位线接触区域的第一侧部分上；以及第二页面缓冲器组，其被设置在位线接触区域的第二侧部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体存储器装置 存储器单元阵列 页面缓冲器 接触区域 外围电路 在位线 存储器单元 位线接触 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其被设置在所述存储器单元阵列下方，其中所述外围电路包括：位线接触区域，其电联接到所述存储器单元阵列；第一页面缓冲器组，其被设置在所述位线接触区域的第一侧部分上；以及第二页面缓冲器组，其被设置在所述位线接触区域的第二侧部分上。
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