[发明专利]底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710532464.0 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107464848B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;周晓梁;邵阳;王漪;梁婷 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 沈超 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括在衬底上依次堆叠形成底栅电极、底栅介质层、氧化物半导体有源层、沟道保护层以及钝化层和在所述钝化层开口中引出的源、漏电极，所述有源层经图形化形成有源区，所述沟道保护层经图形化形成沟道保护区；所述方法还包括，在所述有源区和所述沟道保护区上形成掺杂材料层以及随后的退火操作，从而在所述有源区中形成所述薄膜晶体管的源区和漏区。本申请还公开了根据该方法制备的底栅氧化物半导体薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种底栅氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上依次堆叠形成底栅电极、底栅介质层、氧化物半导体有源层、沟道保护层以及钝化层和在所述钝化层开口中引出的源、漏电极，所述有源层经图形化形成有源区，所述沟道保护层经图形化形成沟道保护区；所述方法还包括，在所述有源区和所述沟道保护区上形成掺杂材料层以及随后的退火操作，从而在所述有源区中形成所述薄膜晶体管的源区和漏区。
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