[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710533393.6 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216451A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构和介质层，所述栅极结构侧壁表面具有侧墙，所述栅极结构两侧的衬底中具有源漏掺杂区，所述介质层位于所述衬底上，且覆盖所述侧墙侧壁；在所述介质层中形成源漏插塞，所述源漏插塞连接所述源漏掺杂区；去除至少部分所述侧墙，在所述介质层中形成隔离开口；在所述隔离开口中形成隔离结构，所述隔离结构的介电常数小于所述侧墙的介电常数。所述栅极结构与源漏插塞，以及位于所述源漏插塞和所述栅极结构之间的隔离结构形成源漏电容。所述隔离结构的介电常数较小，所述源漏电容的电容值较小，从而能够降低所形成半导体结构的寄生电容，改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 隔离结构 栅极结构 介质层 侧墙 衬底 源漏 介电常数 插塞 源漏掺杂区 源漏电容 开口 隔离 栅极结构侧壁 插塞连接 寄生电容 电容 侧壁 去除 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构和介质层，所述栅极结构侧壁表面具有侧墙，所述栅极结构两侧的衬底中具有源漏掺杂区，所述介质层位于所述衬底上，且覆盖所述侧墙侧壁；在所述介质层中形成源漏插塞，所述源漏插塞连接所述源漏掺杂区；去除至少部分所述侧墙，在所述介质层中形成隔离开口；在所述隔离开口中形成隔离结构，所述隔离结构的介电常数小于所述侧墙的介电常数。
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