[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示基板有效
| 申请号： | 201710534060.5 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107134497B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 薛大鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板，属于显示技术领域。薄膜晶体管包括：依次层叠设置在衬底基板上的栅极和栅绝缘层；所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；所述源漏极远离所述衬底基板的一侧设置有有源层，所述有源层连接所述源极和所述漏极。本发明避免了在形成源漏极的过程中有源层与刻蚀液的接触，不会使有源层中的导电沟道在该过程中受损，避免了对TFT的驱动性能的影响。本发明用于显示图像。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次层叠设置在衬底基板上的栅极和栅绝缘层；所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；所述源漏极远离所述衬底基板的一侧设置有有源层，所述有源层连接所述源极和所述漏极。
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