[发明专利]一种V-Si金属间化合物的制备方法

摘要

本发明公开了一种V‑Si金属间化合物的制备方法，包括两次磁悬浮熔炼。在水冷铜坩埚中放入原料后将磁悬浮熔炼炉抽真空，然后持续通入高纯Ar气，在Ar气保护下升温熔炼使原料完全熔化，待熔体驼峰形成后降温冷却至室温从而得到V‑Si初级锭；将V‑Si初级锭翻转180°后再次抽真空，然后升温使V‑Si初级锭完全熔化，待熔体驼峰形成后降温冷却至室温，从而得到V‑Si金属间化合物。本发明有益效果：熔体处于悬浮状态与水冷铜坩埚接触面小，减少了坩埚污染，可控制杂质含量；一次熔炼采用惰性气体保护，减少了Si原料挥发，二次熔炼时优化了成分均匀性；V‑Si金属间化合物的合金品质较高。

主权项

1.一种V‑Si金属间化合物的制备方法，其特征在于包括两次磁悬浮熔炼，第一次为惰性气体保护熔炼，第二次为真空熔炼；惰性气体保护熔炼的具体过程为：在磁悬浮熔炼炉内的水冷铜坩埚中放入钒和硅原料后，将磁悬浮熔炼炉抽真空，然后持续通入高纯Ar气，在Ar气保护下升温熔炼使原料完全熔化，待熔体驼峰形成后再将磁悬浮熔炼炉降温冷却至室温，从而得到V‑Si初级锭；所述钒和硅原料为纯度大于99.9％的锭、块、片或颗粒，钒和硅原料的质量百分比为2：3～4：1，在水冷铜坩埚内由底向上依次为硅原料、钒原料；惰性气体保护熔炼的过程中，在Ar气保护下先在加热功率20‑50kW条件下预热3‑8min，然后在加热功率100‑120kW条件下使原料完全熔化，熔体驼峰形成后先保温10‑20min再停止加热使熔体随磁悬浮熔炼炉降温冷却至室温；真空熔炼的具体过程为：将V‑Si初级锭翻转180°后，再次对磁悬浮熔炼炉抽真空，然后升温使V‑Si初级锭完全熔化，待熔体驼峰形成后再将磁悬浮熔炼炉降温冷却至室温，从而得到所要获得的V‑Si金属间化合物；真空熔炼的过程中，直接在加热功率80‑100kW条件下使V‑Si初级锭完全熔化，熔体驼峰形成后先保温5‑10min再停止加热使熔体随磁悬浮熔炼炉降温冷却至室温。