[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成包括PMOS区的基底，基底上形成有栅极结构、PMOS区栅极结构两侧基底内形成有P型掺杂外延层、P型掺杂外延层表面形成有硅层、基底上形成有覆盖栅极结构顶部的层间介质层；在PMOS区栅极结构两侧层间介质层内形成露出硅层的接触开口；对硅层进行金属分凝肖特基掺杂处理；在接触开口底部形成金属层；通过退火处理，使金属层与硅层反应形成金属硅化物层；在接触开口内形成接触孔插塞。金属分凝肖特基掺杂处理的掺杂离子在金属硅化物层中的固溶度小于在硅层中的固溶度，因此掺杂离子会从金属硅化物层中析出并分凝于金属硅化物层和P型掺杂外延层的界面处，从而降低PMOS的肖特基势垒高度，进而减小PMOS区的接触电阻。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括PMOS区，所述基底上形成有栅极结构、所述PMOS区的栅极结构两侧基底内形成有P型掺杂外延层、所述P型掺杂外延层表面形成有硅层、所述基底上形成有覆盖所述栅极结构顶部的层间介质层；在所述PMOS区栅极结构两侧的层间介质层内形成露出所述硅层的接触开口；对所述接触开口露出的硅层进行金属分凝肖特基掺杂处理；在所述金属分凝肖特基掺杂处理后，在所述接触开口的底部形成金属层；通过退火处理，使所述金属层与所述硅层反应，形成金属硅化物层；形成所述金属硅化物层后，在所述接触开口内形成接触孔插塞。