[发明专利]存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201710543973.3 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107342107B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;高超;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/12;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器件及其操作方法，所述存储器件包括若干个存储单元，其中，每个存储单元包括多行多列闪存结构，所述存储器件还包括高压译码器、低压译码器和隔离模块，所述隔离模块包括多个隔离单元，其中：多个所述隔离单元连接在所述高压译码器和所述低压译码器之间，每个所述闪存结构均连接于高压译码器与一个隔离单元的连接处，两个闪存结构共用同一控制栅，所述高压译码器为与之连接的所述闪存结构提供操作电压；对某个所述闪存结构进行编程时，与该闪存结构连接的隔离单元关断，与该闪存结构共用同一控制栅的闪存结构所连接的隔离单元关断，剩余隔离单元导通。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器件，所述存储器件包括若干个存储单元，其中，每个存储单元包括多行多列闪存结构，其特征在于，所述存储器件还包括高压译码器、低压译码器和隔离模块，所述隔离模块包括多个隔离单元，其中：多个所述隔离单元连接在所述高压译码器和所述低压译码器之间，每个所述闪存结构均连接于高压译码器与一个隔离单元的连接处，两个闪存结构共用同一控制栅，所述高压译码器为与之连接的所述闪存结构提供操作电压；对某个所述闪存结构进行编程时，与该闪存结构连接的隔离单元关断，与该闪存结构共用同一控制栅的闪存结构所连接的隔离单元关断，剩余隔离单元导通。
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