[发明专利]太阳能电池副栅遮光率修正系数与副栅遮光率的测定方法及电池片印刷质量的评价方法有效
申请号: | 201710544452.X | 申请日: | 2017-07-05 |
公开(公告)号: | CN107275246B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 李硕;万松博;王栩生;涂修文;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了太阳能电池副栅遮光率修正系数与副栅遮光率的测定方法及电池片印刷质量的评价方法,涉及太阳能电池生产制造技术领域,太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法,包括以下步骤:步骤a):选取不少于3组电池片,不同组别电池片之间的副栅条数不同;分别计算每组电池片的平均短路电流密度JSC;步骤b):计算每组电池片的主栅几何遮光率fbusbar和副栅几何遮光率ffinger;步骤c):以ffinger为横坐标,以JSC为纵坐标绘制离散图并做线性拟合得到直线,所述直线的斜率y=‑JL·K,所述直线的截距D=JL·(1‑fbusbar),通过离散图和计算得出副栅遮光率的修正系数K。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 遮光 修正 系数 测定 方法 电池 印刷 质量 评价 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤a):选取不少于3组电池片,不同组别电池片之间的副栅的根数不同;分别计算每组电池片的平均短路电流密度JSC、主栅几何遮光率fbusbar平均值和副栅几何遮光率ffinger平均值;步骤b):以ffinger为横坐标,以JSC为纵坐标绘制离散图并做线性拟合得到直线,所得直线对应式(1):Jsc=JL·(1‑fbusbar‑K·ffinger), 式(1);其中,JL为非遮光区的广生电流密度,K为副栅遮光率的修正系数;根据离散图得到直线的斜率y以及截距D,根据式(2)和式(3),可计算得出副栅遮光率的修正系数K:所述直线的斜率y=‑JL·K, 式(2);所述直线的截距D=JL·(1‑fbusbar), 式(3)。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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