[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710550232.8 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107658303B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 内海哲章;矶部克明 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体存储装置包含：多根字线，在第1方向积层；半导体层，贯穿所述多根字线而在第1方向延伸；源极线，电连接于所述半导体层；及晶体管，与所述多根字线一起配置于所述第1方向，并包含栅极电极、以及位于其两侧的源极区域及漏极区域。所述源极线位于所述晶体管与所述多根字线之间，并电连接于所述源极区域及漏极区域的一者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于包含：多根字线，在第1方向积层；半导体层，贯穿所述多根字线而在第1方向延伸；源极线，电连接于所述半导体层；及晶体管，与所述多根字线一起配置于所述第1方向，并包含栅极电极、以及位于其两侧的源极区域及漏极区域；且所述源极线位于所述晶体管与所述多根字线之间，并电连接于所述源极区域及漏极区域的一者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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