[发明专利]一种半导体器件统计模型的建模方法及装置有效
| 申请号： | 201710550239.X | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107480331B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;李莹;赵博华;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/3323 | 分类号： | G06F30/3323;G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件统计模型的建模方法及装置，所述方法包括：将所述半导体器件统计模型的子模块化分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模；建立所述半导体器件的电路模型；基于预设的排列规则，对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列，形成所述半导体器件统计模型；如此，在建立半导体器件统计模型时，结合了工艺角模块，考虑到了工艺角对半导体器件性能的影响，因此建立的半导体器件工艺模型对工艺波动对器件性能的影响进行分析时，分析精度更高，进而可以提高半导体器件的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 统计 模型 建模 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件统计模型的建模方法，其特征在于，所述方法包括：将所述半导体器件统计模型的子模块化分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模块；建立所述半导体器件的电路模型；基于预设的排列规则，对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列，形成所述半导体器件统计模型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710550239.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
