[发明专利]晶圆的平坦化方法

摘要

本发明提供了一种晶圆的平坦化方法，所述晶圆上包括衬底和氧化层，所述衬底上形成有沟槽，所述氧化层覆盖所述衬底并填充所述沟槽，使用氧化铈研磨液对所述晶圆进行研磨，可以有效的克服凹陷的缺陷，具有更好的片内平整度和更小的蝶形化程度。并且晶圆表面的擦痕小，有利于平坦化；增加所述晶圆表面的PH值，能够有效的减少氧化铈颗粒的附着性，使晶圆表面附着的氧化铈颗粒减少，有利于后续对晶圆的清洗；使用去离子水对所述晶圆进行研磨，冲洗掉晶圆表面附着的氧化铈颗粒以及其他的杂质。整个工艺流程非常简单，并且，后续对晶圆的检测也更加准确，提高了芯片的良率。

主权项

一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述晶圆包括衬底和氧化层；所述衬底中形成有沟槽，所述氧化层覆盖所述衬底并填充所述沟槽，在研磨垫上对所述晶圆进行研磨，以平坦化所述晶圆，所述晶圆的平坦化方法包括：使用氧化铈研磨液对所述晶圆进行研磨；增加所述晶圆表面的PH值；使用去离子水对所述晶圆进行研磨。