[发明专利]多晶硅自对准沟道的制备方法在审
| 申请号： | 201710554326.2 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107527955A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李士颜;黄润华;陈允峰;陈刚;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅自对准沟道的制备方法，通过在衬底表面预沉积一层缓冲层，然后在其上生长多晶硅层作为离子注入阻挡层和自对准氧化层，并在其表面沉积一层介质层，作为第二层离子注入阻挡层。离子注入形成了P阱或N阱后，通过多晶硅氧化自对准工艺，然后注入N+或P+后，形成MOSFET沟道结构。本发明通过严格控制缓冲层生长，多晶硅和介质层沉积的工艺条件和厚度，避免了多晶硅晶粒太大导致的表面起伏，进而导致的刻蚀线条边缘粗糙问题，可以极大的提高器件的成品率，并为下一步更窄沟道器件的制备提供了工艺基础。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 对准 沟道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅自对准沟道的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：(1)在碳化硅外延层(1)上生长缓冲层(2)；(2)在缓冲层(2)上生长多晶硅层(3)；(3)在多晶硅层(3)上沉积介质层(4)；(4)通过光刻P阱或N阱图形，然后刻蚀介质层(4)、多晶硅层(3)和缓冲层(2)，形成P阱或N阱的注入窗口；(5)由介质层(4)、多晶硅层(3)和缓冲层(2)作为注入掩膜，通过多次高能离子注入工艺，形成P阱或N阱区域(5)；(6)去除表面介质层(4)；(7)高温氧化多晶硅层(3)和缓冲层(2)，形成氧化层(6)；(8)通过多次高能离子注入工艺，形成N+或P+源区域(7)；两次注入掩膜宽度差即沟道。
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