[发明专利]基于钴的互连及其制造方法有效
| 申请号： | 201710556412.7 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107452711B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | C·J·杰泽斯基;J·S·克拉克;T·K·因杜库里;F·格瑟特莱恩;D·J·谢拉斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人： | 卓霖;许向彤 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了包括钴的金属互连和形成包括钴的金属互连的方法。在实施例中，包括钴的金属互连包括设置在衬底上的电介质层、形成在所述电介质层中以使所述衬底被露出的开口。实施例还包括设置在所述衬底之上的晶种层、以及形成在所述开口内和所述晶种层的表面上的包括钴的填充材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 互连 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构，包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且使所述衬底的导电区露出；设置在所述衬底的所述导电区之上和所述开口的所述侧壁上的晶种层，所述晶种层包括钴；以及位于所述开口内和所述晶种层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴并且具有与所述晶种层不同的晶粒结构或成分。
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