[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710558135.3 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109243977B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L21/40 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;翟海青 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供器件衬底，所述器件衬底包括终端区，在所述终端区的所述器件衬底的正面形成有层间介电层；形成若干间隔设置的第一场板，以覆盖所述终端区的部分所述器件衬底表面以及部分所述层间介电层；在所述第一场板的至少一侧壁上形成位于所述层间介电层之上的间隙壁，其中，所述间隙壁的侧面与所述侧面外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角为钝角。本发明的方法增加了器件衬底临时解键合的工艺窗口，从而确保减薄后的器件衬底临时解键合工艺顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供器件衬底，所述器件衬底包括终端区，在所述终端区的所述器件衬底的正面形成有层间介电层；形成若干间隔设置的第一场板，以覆盖所述终端区的部分所述器件衬底表面以及部分所述层间介电层；在所述第一场板的至少一侧壁上形成位于所述层间介电层之上的间隙壁，其中，所述间隙壁的侧面与所述侧面外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角为钝角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
