[发明专利]具有栅极接触的集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710559802.X | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107611088B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 臧辉;J·S·瓦特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有栅极接触的集成电路结构及其形成方法，其一个态样涉及集成电路结构。该集成电路结构可包括：位于衬底上方具有栅极导体于其中的栅极堆叠，该栅极堆叠位于介电层内；至源/漏区的源/漏接触，位于该衬底上方并与该介电层内的该栅极堆叠相邻；导体，延伸于该源/漏接触上方而未与其接触并延伸于该介电层内以接触该栅极堆叠内的该栅极导体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 接触 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路结构的方法，该方法包括：将第一介电层内的源/漏接触的高度降低至低于栅极堆叠的栅极导体的高度的高度，该栅极堆叠与该介电层内的该栅极导体相邻；以及在该源/漏接触上方而未与其接触形成导体，该导体接触该栅极导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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