[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201710559938.0 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108962828B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张铭宏;褚伯韬;王升平;郭建利;陈仲诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括衬底。衬底被III‑V族化合物半导体层上覆。衬底包括电路区及密封环区。密封环区环绕电路区。密封环结构设置在密封环区中。密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构。第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分及III‑V族化合物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，被III‑V族化合物半导体层上覆，所述衬底包括电路区及密封环区，所述密封环区环绕所述电路区；以及密封环结构，设置在所述密封环区中，其中所述密封环结构包括环绕所述电路区的第一通孔结构，所述第一通孔结构延伸穿过所述衬底的一部分及所述III‑V族化合物半导体层。
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