[发明专利]单轴应变纳米线结构有效
| 申请号： | 201710568908.6 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107195671B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | S·M·塞亚;S·金;A·卡佩拉尼 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了单轴应变纳米线结构。例如，一种半导体器件包括设置在衬底之上的多个垂直堆叠的单轴应变纳米线。所述单轴应变纳米线中的每者包括设置在所述单轴应变纳米线内的分立沟道区。所述分立沟道区具有沿所述单轴应变的方向的电流流动方向。在所述分立沟道区的两侧将所述源极区和漏极区设置到所述纳米线内。栅电极堆叠体完全包围所述分立沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 纳米 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：在衬底之上的单轴应变纳米线，所述单轴应变纳米线包括：在所述单轴应变纳米线内的分立沟道区，所述分立沟道区具有沿所述单轴应变的方向的电流流动方向；以及在所述分立沟道区的两侧、在所述纳米线内的源极区和漏极区，其中所述源极区和漏极区是分立的；完全包围所述分立沟道区的栅电极堆叠体；完全包围所述分立源极区的第一接触部；以及完全包围所述分立漏极区的第二接触部。
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