[发明专利]多电极串行半导体光放大器

摘要

本公开提供了一种多电极串行半导体光放大器，包括衬底；n面电极，形成于衬底的第一表面；n型多层结构，形成于衬底的第二表面，包括n型下限制层，形成于衬底上；n型波导层，形成于n型下限制层上；有源层，形成于n型多层结构上；p型多层结构，形成于有源层上，包括p型界面层，形成于有源层上；p型上限制层，形成于p型界面层上；p型欧姆接触层，形成于p型p型上限制层上；p面电极，形成于p型多层结构上，其包括N个串行电极，用于使载流子从各个串行电极同时注入到有源区，其中，N≥2。通过多电极串行电流多点注入，可解决大功率半导体光放大器的散热问题，提高光电转换效率。

主权项

一种多电极串行半导体光放大器，包括：衬底(10)；n面电极(60)，形成于衬底(10)的第一表面；n型多层结构(20)，形成于衬底(10)的第二表面，包括：n型下限制层(22)，形成于衬底(10)上；n型波导层(23)，形成于n型下限制层(22)上；有源层(30)，形成于n型多层结构(20)上；p型多层结构(40)，形成于有源层(30)上，包括：p型界面层(41)，形成于有源层(30)上；p型上限制层(42)，形成于p型界面层(41)上；p型欧姆接触层(44)，形成于p型p型上限制层(42)上；p面电极(50)，形成于p型多层结构(40)上，其包括：N个串行电极(53)，用于使载流子从各个串行电极同时注入到有源区，其中，N≥2。