[发明专利]微纳米器件光刻加工方法有效
| 申请号： | 201710570346.9 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107329375B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 曹文会;李劲劲;钟源;钟青;王雪深 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴黎<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种微纳米器件光刻加工方法，包括：在第一版层模板上制作第一光刻标记；将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影；在第一版层模板上制作第二光刻标记；第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配；将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上，以使第一光刻标记的线段位于第二光刻标记的线段间隔上，第二光刻标记的线段位于第一光刻标记的线段间隔上；对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影。通过这种方式，有利于光刻标记的寻找，沿着线段观测可以方便地检查整个版面的对准状态，从而减少光刻对准误差。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 光刻 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微纳米器件光刻加工方法，其特征在于，包括：/n在第一版层模板上制作第一光刻标记，所述第一光刻标记为间隔线段式标记；具体地，在所述第一版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第一光刻标记，两个方向上的所述第一光刻标记相交；/n将所述第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影，以将所述第一版层模板上的电路图形制作在所述待加工微纳米器件的样品上；/n在第二版层模板上制作第二光刻标记，所述第二光刻标记为间隔线段式标记；所述第二光刻标记的线段间隔与所述第一光刻标记的线段相匹配，所述第一光刻标记的线段间隔与所述第二光刻标记的线段相匹配，所述匹配是指长度一致；具体地，在所述第二版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第二光刻标记，两个方向上的所述第二光刻标记相交；/n将所述第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上，以使所述第一光刻标记的线段位于所述第二光刻标记的线段间隔上，所述第二光刻标记的线段位于所述第一光刻标记的线段间隔上；/n对贴附所述第二版层模板后的所述待加工微纳米器件的样品进行曝光显影，以将所述第二版层模板上的电路图形制作在所述待加工微纳米器件的样品上。/n
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