[发明专利]基板加热装置以及基板加热方法有效
| 申请号： | 201710573158.1 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107799434B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 加藤茂;佐保田勉;山谷谦一;升芳明 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 毛立群;杨楷 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式的基板加热装置，包括：减压部，对涂布了溶液的基板的容纳空间的气氛进行减压；加热部，配置在所述基板的一侧，并且能够加热所述基板；红外线加热器，配置在所述基板的另一侧，并且通过红外线能够加热所述基板；反射面，配置在所述加热部与所述红外线加热器之间，并且反射朝向所述加热部的所述红外线。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种基板加热装置，包括：减压部，对涂布了溶液的基板的容纳空间的气氛进行减压；加热部，配置在所述基板的一侧，并且能够加热所述基板；红外线加热器，配置在所述基板的另一侧，并且能够通过红外线加热所述基板；反射面，配置在所述加热部与所述红外线加热器之间，并且反射朝向所述加热部的所述红外线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
