[发明专利]一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法

摘要

一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，在衬底正面依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层，在部分粗化层上设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置正电极；特点是述粗化层设置有若干沟槽，在沟槽的底面和侧面分别设置粗化的表面。本发明通过在粗化层设置沟槽，并在沟槽的底面和侧面分别设置粗化的表面，大大提高了粗化层的粗化面积，使外量子效应得以大幅提高，而且粗化层蚀刻出的沟槽不影响电流的横向扩展，故而实现了提高光提取率的目的。

主权项

1.一种垂直结构AlGaInP基发光二极管的制造方法，包括以下步骤：1）在衬底的同一侧依次外延生长形成DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层、欧姆接触层，取得外延片；外延取得的粗化层的厚度为3～10μm；2）以外延片进行清洗、制干后，在外延片的欧姆接触层表面生长形 SiO₂材料层；3）在SiO₂材料层上通过涂胶、光刻、显影制作出光刻胶图形；4）将外延片经过BOE蚀刻，得到供蚀刻的图形化粗化面区域；5）对图形化粗化面区域采用湿法或干法腐蚀的方法，自SiO₂材料层向下腐蚀至粗化层；6）将处延片置于粗化液中进行腐蚀处理；7）去除图形化粗化面区域以外的欧姆接触层上剩余的SiO₂材料层后，在欧姆接触层上制作形成正电极；8）对衬底进行减薄研磨，然后在衬底的背面制作背电极；9）经裂片，得垂直结构AlGaInP基发光二极管；其特征在于：所述步骤5）中，在图形化粗化面区域内蚀刻出若干沟槽，且各沟槽的最大深度不大于粗化层的厚度；所述沟槽具有n个分层结构，n≥1，且沟槽的分层结构呈现台阶形貌。