[发明专利]半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201710574422.3 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107622951A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 篠崎裕树;森弘就;光田昌也 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的半导体装置的制造方法依次包括导体部形成工序,在基板(10)上形成从基板(10)的表面起的高度相同的多个导体部(40);包覆工序,向相邻的导体部(40)的间隙导入热固性树脂组合物(50),以导体部(40)的顶部(92)露出的方式,利用热固性树脂组合物(50)的固化物(60)覆盖导体部(40);和多层配线工序,不对固化物(60)的表面进行研磨,而在固化物(60)之上形成与顶部(92)电连接的金属图案(160)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,依次包括:导体部形成工序,在基板上形成从所述基板的表面起的高度相同的多个导体部;包覆工序,向相邻的所述导体部的间隙导入热固性树脂组合物,以所述导体部的顶部露出的方式,利用所述热固性树脂组合物的固化物覆盖所述导体部;和多层配线工序,不对所述固化物的表面进行研磨,而在所述固化物之上形成与所述顶部电连接的金属图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电木株式会社,未经住友电木株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710574422.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造