[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台有效
| 申请号： | 201710574737.8 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107622945B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木芳彦;南雅人;藤永元毅;神户乔史;山涌纯;宇贺神肇 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 装置 基板载置台 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻方法，其利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，所述等离子体蚀刻方法的特征在于，包括：选定处理气体以使得在所述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在所述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对所述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的所述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对所述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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