[发明专利]阵列基板的制备方法有效
| 申请号： | 201710581717.3 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109270796B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李伟;周斌;刘军;刘宁;张扬;胡迎宾 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种阵列基板的制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成绝缘层、光刻辅助层膜层和正性光刻胶层膜层；对所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶层膜层进行光刻工艺以形成光刻辅助层和正性光刻胶；对所述绝缘层进行构图；对所述光刻辅助层和所述正性光刻胶进行紫外光照，然后去除所述光刻辅助层和所述正性光刻胶。该方法通过光刻辅助层以防止光刻胶残留，这样提高了阵列基板的良率与基于该阵列基板的LCD及OLED等显示器件的显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成绝缘层、光刻辅助层膜层和正性光刻胶层膜层；对所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶层膜层进行光刻工艺以形成光刻辅助层和正性光刻胶；对所述绝缘层进行构图；对所述光刻辅助层和所述正性光刻胶进行紫外光照，然后去除所述光刻辅助层和所述正性光刻胶。
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