[发明专利]高效稳定的硅基光解水制氢电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710582109.4 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109267096B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 巩金龙;刘珊珊;王拓;罗志斌;李澄澄;李慧敏;陈梦馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25B11/054 | 分类号： | C25B11/054;C25B11/081;C25B11/059;C25B1/04;C23C28/04;C23C18/12;C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开高效稳定的硅基光解水制氢电极及其制备方法和应用，包括p型硅基底、硫化镉异质结层，氧化钛保护层，铂助催化剂；制备方法主要由硅片基底表面清洗、硫化镉层沉积、氧化钛层沉积、铂助剂负载四步构成。本发明有效实现了硅与硫化镉异质结的制备，提高了光生电压，并解决硅基光电阴极在水溶液不稳定的问题，提高了材料的稳定性。本发明的制备方法操作过程简单，可控性强，光电催化性能稳定，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 稳定 光解 水制氢 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.高效稳定的硅基光解水制氢电极，其特征在于，包括p型硅基底、硫化镉异质结层，二氧化钛保护层和铂催化剂，在p型硅基底上化学沉积硫化镉异质结层，在硫化镉异质结层上原子层沉积二氧化钛保护层，在二氧化钛保护层上光电沉积铂纳米颗粒，作为铂催化剂。
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