[发明专利]氧化钽保护的P型硅光解水制氢电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201710582761.6 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109267097B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 巩金龙;刘珊珊;王拓;李慧敏;李澄澄;罗志斌 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B1/55;C25B11/059;C25B11/081 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开氧化钽保护的P型硅光解水制氢电极及其制备方法，包括表面磷重掺杂p型硅基底、五氧化二钽外保护层，铂助催化剂；制备方法主要由硅片基底表面重掺杂处理、五氧化二钽保护层沉积、铂助剂负载三步构成。本发明有效实现了硅基底的表面重掺杂，提高了光电化学池光解水制氢起始电位；以及硅基光电阴极在水溶液不稳定的问题，提高了材料的稳定性。本发明的制备方法操作过程简单，可控性强，光电催化性能稳定，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 保护 光解 水制氢 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.氧化钽保护的P型硅光解水制氢电极，其特征在于，包括p型硅片，在p型硅片的一个表面进行重掺杂磷处理形成N+层，即在p型硅片表面掺杂元素磷形成n型硅片，形成同质异结机构；在N+层的表面设置五氧化二钽层，在五氧化二钽层中负载元素铂，作为催化剂；在形成N+层的p型硅片表面的相对表面设置铝背底层，即在p型硅片的上下两个表面分别设置N+层和铝背底层。
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