[发明专利]应用于多结太阳能电池的复合DBR结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710589539.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107221574B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 高熙隆;刘建庆;刘雪珍;毛明明;马涤非;张小宾 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/054 | 分类号： | H01L31/054;H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 冯炳辉 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种应用于多结太阳能电池的复合DBR结构及其制备方法，包括按层状结构依次叠加的3～15层AlAs/Al |
||
| 搜索关键词： | 应用于 太阳能电池 复合 dbr 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于多结太阳能电池的复合DBR结构，其特征在于：包括按层状结构依次叠加的3～15层AlAs/AlxOy/AlGaInAs组合层和5～25层AlInP/AlGaInP组合层，所述AlAs/AlxOy/AlGaInAs组合层和AlInP/AlGaInP组合层的层数总和不超过35层，且该AlAs/AlxOy/AlGaInAs组合层中的x＝1,2,3,4…，y＝1,2,3,4…；所述AlInP/AlGaInP组合层是由层状叠加的AlInP层和AlGaInP层构成，所述AlAs/AlxOy/AlGaInAs组合层是由层状叠加的AlAs/AlxOy组合层和AlGaInAs层构成，其中，所述AlAs/AlxOy组合层中的AlxOy是由一部分AlAs经过高温湿法氧化而成，且生成的AlxOy折射率比余下的AlAs低，从而能拓宽DBR的反射光子范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山德华芯片技术有限公司，未经中山德华芯片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710589539.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
