[发明专利]用于包含触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路的方法有效
| 申请号： | 201710594433.8 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107658266B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李建兴;马哈德瓦尔·纳塔拉恩;曼约纳塔·普拉布 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于包含触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路的方法。具体实施例包括提供包括相邻第一类型井区的衬底，在该衬底上方，各对第一类型井区由第二类型井区所分开；提供位在各第一与第二类型井区中的一或多个接面区，各接面区属于第一类型或第二类型；形成彼此相隔、垂直于该第一与第二类型接面区并位在其上方的鳍片；以及通过在该第一类型井区中的该第一和第二类型接面区与该衬底之间形成电连接来形成接面类型装置，其中第一类型井区中的第一级接面类型装置包括堆叠的第一与第二类型接面区，以及其中该第一级接面类型装置是包括第一与第二类型接面区的相邻第二类型井区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 包含 触发 电压 调式 晶体管 esd 保护 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：提供包括相邻第一类型井区的衬底，在该衬底上方，各对第一类型井区由第二类型井区所分开；提供位在各第一类型井区与第二类型井区中的一或多个接面区，各接面区属于第一类型或第二类型；形成彼此相隔、垂直于该第一类型接面区与第二类型接面区并位在其上方的鳍片；以及通过在该第一类型井区中的该第一类型接面区和第二类型接面区与该衬底之间形成电连接来形成接面类型装置，其中第一类型井区中的第一级接面类型装置包括堆叠的第一类型接面区与第二类型接面区，以及其中该第一级接面类型装置是包括第一类型接面区与第二类型接面区的相邻第二类型井区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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