[发明专利]用于形成细间距特征的光刻图案

摘要

本发明涉及用于形成细间距特征的光刻图案，揭示用于形成一芯片的互连结构的光刻图案的方法。一硬掩膜层形成于一介电层上。一牺牲层形成于该硬掩膜层上。第一开口与第二开口形成于该牺牲层中，并延伸通过该牺牲层至该硬掩膜层。一抗蚀层形成于该牺牲层上。一开口形成于横向位于该第一牺牲层的该第一开口以及该第一牺牲层的该第二开口之间的该抗蚀层中。该抗蚀层由对该硬掩膜层具有可移除选择性的一金属氧化物抗蚀材料所组成。

主权项

一种形成互连层级的方法，其特征在于，该方法包括：形成一硬掩膜层于一介电层上；形成一第一牺牲层于该硬掩膜层上；形成一第一开口与一第二开口于该第一牺牲层中，并延伸通过该第一牺牲层至该硬掩膜层；形成一第一抗蚀层于该第一牺牲层上；以及形成延伸通过该第一抗蚀层的一第一开口，该第一抗蚀层横向位于该第一牺牲层中的该第一开口以及该第一牺牲层中的该第二开口之间，其中，该第一抗蚀层由对该硬掩膜层具有可移除选择性的一金属氧化物抗蚀材料所组成。