[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710596408.3 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109285888B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括第二区和分别位于第二区两侧的第一区，第一区与第二区连接，基底上具有由第二区延伸至两侧第一区的鳍部结构，所述鳍部结构包括至少一个鳍部；在所述鳍部结构两侧的第一区基底上形成伪鳍部，所述伪鳍部与鳍部沿垂直于鳍部的延伸方向上平行排列；在第二区基底上形成横跨鳍部结构的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部结构和伪鳍部内形成源漏掺杂区，位于鳍部结构内的所述源漏掺杂区与位于伪鳍部内的所述源漏掺杂区相连；在基底和源漏掺杂区上形成覆盖所述栅极结构侧壁的介质层；在介质层内形成接触孔，接触孔的底部暴露出源漏掺杂区的顶部表面。所述方法形成的器件的接触电阻小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第二区和分别位于第二区两侧的第一区，所述第一区与第二区连接，所述基底上具有由第二区延伸至两侧第一区的鳍部结构，所述鳍部结构包括至少一个鳍部；在所述鳍部结构两侧的第一区基底上形成伪鳍部，所述伪鳍部与所述鳍部沿垂直于鳍部的延伸方向平行排列；在第二区基底上形成横跨鳍部结构的栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部结构和伪鳍部内分别形成源漏掺杂区，位于鳍部结构内的所述源漏掺杂区与位于伪鳍部内的所述源漏掺杂区相连；在所述基底和源漏掺杂区上形成覆盖所述栅极结构侧壁的介质层；在所述介质层内形成接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏掺杂区的顶部表面。
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