[发明专利]多位铁电性存储器装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201710599972.0 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN107393582B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 卡迈勒·M·考尔道;F·丹尼尔·吉利;D·V·尼马尔·拉马斯瓦米;钱德拉·V·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C11/56;H01L27/11507;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供多位铁电性存储器装置及其形成方法。一种形成多位铁电性存储器装置的实例性方法可包含：在通孔的第一侧上形成第一铁电性材料；移除一材料以暴露所述通孔的第二侧；及在所述通孔的所述第二侧上以与所述通孔的所述第一侧相比不同的厚度形成第二铁电性材料。 | ||
| 搜索关键词： | 多位铁电性 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成存储器装置的方法，其包括：在通孔的第一侧上形成第一铁电性材料；移除一材料以暴露所述通孔的第二侧；及在所述通孔的所述第二侧上形成第二铁电性材料，其中所述第二铁电性材料是与所述第一铁电性材料的类型不同的铁电性材料。
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