[发明专利]一种微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710601789.X 申请日: 2017-07-21
公开(公告)号: CN107381516B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 任银拴 申请(专利权)人: 黔南民族师范学院
主分类号: C01B21/072 分类号: C01B21/072
代理公司: 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 代理人: 张梅
地址: 558000 贵州省黔南布依族苗族自治*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法。包括下述步骤:a、将铝粉放入到反应室后密封;b、对反应室抽真空之后通入氩气;c、接通反应室内的阳极铝块和阴极钨杆电源,并调整其间距直至接触起弧,在氩气氛围对铝粉进行合金化;d、合金化后,再次对反应室抽真空,之后通入氮气;e、再次使调整阳极铝块与阴极钨杆接触起弧,在氮气氛围反应60~62min,得A品;f、将A品用浓盐酸和浓硝酸的混合溶液清洗,清洗后再用去离子水清洗,得B品;g、将B品在59~61℃、真空环境下烘干,即得成品。本发明能够澄清AlN粉体中的磁性来源,排除了磁性元素干扰,使材料获得铁磁性的居里温度提高到室温,使制备更简单。
搜索关键词: 粉体 制备 反应室抽真空 清洗 稀磁半导体 阴极钨杆 合金化 阳极铝 铝粉 起弧 氮气 氩气 材料获得 磁性元素 氮气氛围 混合溶液 去离子水 真空环境 氩气氛围 反应室 浓硝酸 浓盐酸 铁磁性 烘干 放入 密封 接通 电源 澄清 室内
【主权项】:
1.一种微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:a、将铝粉放入到反应室后密封;b、对反应室抽真空,之后向反应室通入氩气;c、接通反应室内的阳极铝块和阴极钨杆电源,并调整阳极铝块与阴极钨杆的距离直至接触起弧,在氩气气氛下对铝粉进行合金化;d、合金化后,再次对反应室抽真空,之后向反应室通入氮气;e、再次接通阳极铝块和阴极钨杆的电源,并调整阳极铝块与阴极钨杆的距离直至接触起弧,在氮气气氛下反应60~62min,得到粉末状物质,即A品;f、将A品用体积比为3:1的浓盐酸和浓硝酸的混合溶液清洗,清洗后再用去离子水清洗,得B品;g、将B品在59~61℃、真空环境下烘干,即得成品;步骤c中,所述的接通反应室内的阳极铝块和阴极钨杆电源,是向反应室内的阳极铝块和阴极钨杆通48~52A的电流;步骤e中,所述的再次接通阳极铝块和阴极钨杆电源,是再次向阳极铝块和阴极钨杆通73~78A的电流。
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