[发明专利]一种双极管有效
申请号: | 201710604859.7 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN109300984B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 李思敏 | 申请(专利权)人: | 李思敏 |
主分类号: | H01L29/732 | 分类号: | H01L29/732;H01L29/10 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 张晶;郭佩兰 |
地址: | 100011 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种双极管,在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个由N型发射区、P型基区、P型浓基区组成的条带,每个条带中的N型发射区的上面与发射极金属层连通,其特征是:所述基极金属层与浓基区汇流条的上表面相连接,所述发射极压焊块为2个或2个以上,所述条带的重复间距小于300μm。本发明的双极管电流分布均匀,开关速度快,抗冲击能力强,功率高,成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 双极管 | ||
【主权项】:
1.一种双极管,在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多数个由N型发射区、P型基区、P型浓基区组成的条带,该条带中的N型发射区的上面与发射极金属层连通,N型发射区的下面为P型基区,P型基区的侧面连着掺杂浓度比基区高的P型浓基区,P型浓基区与P型浓基区汇流条正交,硅衬底片的上方为基极金属层,硅衬底片的上层N型高电阻率层位于P型基区和P型浓基区以下的部分为集电区,硅衬底片的N型低电阻率层为集电极,集电极的下表面与集电极金属层相连,其特征在于:所述基极金属层与P型浓基区汇流条的上表面相连接;所述发射极压焊块为2个或2个以上;所述条带的重复间距小于300μm。
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