[发明专利]一种Nd2(MoO4)3薄膜的直接制备方法有效
申请号: | 201710607644.0 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107574467B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 武晓鹂;龙飞;张铁;莫淑一;邹正光 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C25D9/06 | 分类号: | C25D9/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种Nd2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Nd(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液,并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3,混合均匀后获得电沉积溶液,置于水浴中,使其温度达到所需温度;在电沉积溶液中插入三电极体系,通过电沉积反应在导电玻璃上沉积一层薄膜,将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗,然后置于鼓风干燥箱中干燥,再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理,制得Nd2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单,相比于先做粉后成膜的传统方法,极大地简化了薄膜制备方法,同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响;并且本发明提供的方法操作简单,耗时短,薄膜质量好。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 电沉积溶液 直接制备 成膜 柠檬酸 电沉积反应 鼓风干燥箱 三电极体系 热处理 薄膜制备 导电玻璃 粉末形貌 去离子水 无水乙醇 稀土离子 电沉积 管式炉 沉积 水浴 水中 冲洗 耗时 离子 溶解 | ||
【主权项】:
1.一种Nd2(MoO4)3薄膜的直接制备方法,其特征在于具体步骤为:(1)将Nd(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005 ~ 1mol/L的稀土离子溶液,然后将EDTA或者柠檬酸按照与稀土离子总量的摩尔比为1~ 5:1的比例加入到上述稀土离子溶液中,再滴加0.1~1mol/L的NaOH溶液直至混合溶液的pH值达到12~13,最后再加入Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3,其中Na2MoO4·2H2O的加入量与稀土离子总量的摩尔比为1~5:1,KCl的加入量与稀土离子总量的摩尔比为1~50:1,HNO3的加入量用于调节混合溶液的pH值为4~6,混合均匀后获得电沉积溶液;(2)将步骤(1)制得的电沉积溶液置于水浴中,搅拌使电沉积溶液的温度达到30~80℃,获得备用电沉积溶液;(3)以表面镀有透明导电层的玻璃作为工作电极即阳极,Pt网作为对电极即阴极,Ag/AgCl/Cl‑电极作为参比电极,组成三电极体系;(4)将步骤(3)组成的三电极体系插入步骤(2)获得的备用电沉积溶液中,设置沉积电压为1.95~3V,沉积时间为15min~3h,在透明导电层上沉积一层电沉积薄膜;(5)将步骤(4)制得的电沉积薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗,然后置于30~80℃的鼓风干燥箱中干燥5min~24h;(6)将步骤(5)干燥好的电沉积薄膜置于管式炉中进行热处理,设置升温速率为1~10℃/min,升温至600~700℃保温0.5~10h,即制得Nd2(MoO4)3薄膜;所述透明导电层为ITO、FTO或者AZO。
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