[发明专利]用于测试界面电阻的器件、界面电阻测试方式及应用有效

专利信息
申请号: 201710608281.2 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN107465391B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 杨黎飞;张闻斌;李杏兵 申请(专利权)人: 协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司
主分类号: H02S50/10 分类号: H02S50/10;H01L31/072
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 王乐
地址: 201406 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于测试界面电阻的器件,其包括器件主体,第一电极,位于器件主体的一侧;以及第二电极,位于器件主体的另一侧;器件主体包括:晶体硅片,第一本征层,位于晶体硅片靠近第一电极的一侧;第一掺杂非晶硅层,位于第一本征层靠近第一电极的一侧;第一掺杂非晶硅层与晶体硅片同型。上述器件,可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况,进而通过测量该器件的总电阻,除去其它电阻,进而获得器件的界面电阻,继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻;也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻,并且进行无损测试。本发明还提供了一种界面电阻测试方式及应用。
搜索关键词: 用于 测试 界面 电阻 器件 方式 应用
【主权项】:
1.一种用于测试界面电阻的器件,其特征在于,包括:器件主体,第一电极,位于所述器件主体的一侧;以及第二电极,位于所述器件主体的另一侧;所述器件主体包括:晶体硅片,第一本征层,位于所述晶体硅片靠近所述第一电极的一侧;第一掺杂非晶硅层,位于所述第一本征层靠近所述第一电极的一侧;所述第一掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司,未经协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710608281.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top