[发明专利]用于测试界面电阻的器件、界面电阻测试方式及应用有效
申请号: | 201710608281.2 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107465391B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 杨黎飞;张闻斌;李杏兵 | 申请(专利权)人: | 协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H02S50/10 | 分类号: | H02S50/10;H01L31/072 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王乐 |
地址: | 201406 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于测试界面电阻的器件,其包括器件主体,第一电极,位于器件主体的一侧;以及第二电极,位于器件主体的另一侧;器件主体包括:晶体硅片,第一本征层,位于晶体硅片靠近第一电极的一侧;第一掺杂非晶硅层,位于第一本征层靠近第一电极的一侧;第一掺杂非晶硅层与晶体硅片同型。上述器件,可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况,进而通过测量该器件的总电阻,除去其它电阻,进而获得器件的界面电阻,继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻;也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻,并且进行无损测试。本发明还提供了一种界面电阻测试方式及应用。 | ||
搜索关键词: | 用于 测试 界面 电阻 器件 方式 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于测试界面电阻的器件,其特征在于,包括:器件主体,第一电极,位于所述器件主体的一侧;以及第二电极,位于所述器件主体的另一侧;所述器件主体包括:晶体硅片,第一本征层,位于所述晶体硅片靠近所述第一电极的一侧;第一掺杂非晶硅层,位于所述第一本征层靠近所述第一电极的一侧;所述第一掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。
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