[发明专利]一种超薄Rh纳米片组成的纳米花的制备方法

摘要

本发明公开了一种超薄Rh纳米片组成的纳米花的制备方法，该方法以氯化铑和钴氰化钾为原料合成RhCl₃‑K₃Co(CN)₆氰胶前驱体，再以甲醛做还原剂，采用氰胶还原法还原RhCl₃‑K₃Co(CN)₆氰胶前驱体，即可得到形状规则、尺寸均一、分散性及稳定性良好的Rh纳米片组成的纳米花。本发明制备方法简单、经济，制得的Rh纳米花对合成氨催化反应展现出优异的电催化活性和稳定性，在电化学合成氨方面有广泛的应用前景。

主权项

1.一种超薄Rh纳米片组成的纳米花的制备方法，其特征在于它由下述步骤组成：（1）制备RhCl₃‑K₃Co(CN)₆氰胶将RhCl₃水溶液和K₃Co(CN)₆水溶液混合均匀，在75～100℃下加热反应20～36小时，得到RhCl₃‑K₃Co(CN)₆氰胶；所述RhCl₃水溶液中RhCl₃的浓度为0.025～0.3mol/L，K₃Co(CN)₆水溶液中K₃Co(CN)₆的浓度为0.025～0.3mol/L，RhCl₃与K₃Co(CN)₆的摩尔比为1:0.25～2；（2）制备超薄Rh纳米片组成的纳米花将RhCl₃‑K₃Co(CN)₆氰胶与甲醛水溶液按体积比为1.5～5:1混合，在160～190℃下还原反应10～16小时，反应结束后冷却、离心、洗涤、干燥，得到超薄Rh纳米片组成的纳米花。