[发明专利]一种芯片堆栈立体封装结构有效
申请号: | 201710613743.X | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107275323B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人: | 张臻贤,由元 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯片堆栈立体封装结构,包括存储器芯片堆栈体,存储器芯片堆栈体的一安装表面包括一覆晶接合区;重布线层,形成于存储器芯片堆栈体的安装表面上;基板,具有一窗口孔,存储器芯片堆栈体的安装表面安装于基板下,以使得存储器芯片堆栈体的覆晶接合区完整显露在基板的窗口孔中;及缓存芯片,经由窗口孔对准地设置于存储器芯片堆栈体的覆晶接合区上,缓存芯片覆晶接合于重布线层。将基板和缓存芯片分布设置于重布线层的一面,存储器芯片堆栈体设置于重布线层的另一面,通过重布线层实现了基板与缓存芯片连接,缓存芯片与存储器芯片堆栈体连接,不仅减小了封装结构的厚度,缩小了封装结构的体积,缩短了信号传输路径。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 堆栈 立体 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种芯片堆栈立体封装结构,其特征在于,包括:存储器芯片堆栈体,主要由多个存储芯片堆栈组成,所述存储器芯片堆栈体更包括多个导电穿孔,贯穿所述存储芯片,用以电性沟通所述存储芯片,所述存储器芯片堆栈体的一安装表面包括一覆晶接合区;重布线层,形成于所述存储器芯片堆栈体的所述安装表面上,所述重布线层包括多个配置在所述覆晶接合区之外的扇出接垫、以及配置在所述覆晶接合区内的多个第一覆晶接垫与多个第二覆晶接垫,所述重布线层还包括多个第一线路与多个第二线路,所述第一线路连接所述扇出接垫与所述第一覆晶接垫,所述第二线路连接所述第二覆晶接垫与所述导电穿孔,所述第一覆晶接垫与所述第二覆晶接垫之间包含一断路间隔;基板,具有一窗口孔,所述存储器芯片堆栈体的所述安装表面安装于所述基板下,以使得所述存储器芯片堆栈体的所述覆晶接合区完整显露在所述基板的所述窗口孔中,并且所述基板电性连接至所述扇出接垫;及缓存芯片,经由所述窗口孔对准地设置于所述存储器芯片堆栈体的所述覆晶接合区上,所述缓存芯片覆晶接合于所述重布线层,所述缓存芯片的多个凸块接合至对应的所述第一覆晶接垫与所述第二覆晶接垫。
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