[发明专利]一种两阶段式电泳工艺有效
| 申请号： | 201710615673.1 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309015B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;史丽萍;杨玉聪;蔡瑞祥 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/316;H01L21/306 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种两阶段式电泳工艺，步骤包括：S1、采用低浓度电泳液对硅片进行电泳；S2、向使用过的电泳液中添加额定量的玻璃粉和添加液；S3、将经过所述S1后的硅片放置在所述S2的电泳液中进行电泳。本发明相较于原工艺的有益效果是：电泳过程更稳定，槽内玻璃的造型更均匀、更对称，增强产品电性能的稳定，降低产品不良率；电泳液的二次利用，达到了提高玻璃粉的利用率的目的，降低电泳成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶段 电泳 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种两阶段式电泳工艺，其特征在于：步骤包括：S1、采用第一阶段电泳液对硅片进行电泳；S2、向使用过的所述第一阶段电泳液中添加玻璃粉和添加液，制成第二阶段电泳液；S3、将经过所述S1后的硅片放置在所述第二阶段电泳液中进行电泳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
