[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710616913.X | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108447859A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林柏均;朱金龙 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有以面对面方式堆迭的多个半导体晶粒。通过面对面方式垂直堆迭不同功能的晶粒，在不同功能的所述晶粒之间实施一面对面通信(face‑to‑face communication)。此外，相较于具有以横向相邻方式配置的不同功能晶粒的半导体装置，本公开的技术以面对面方式垂直堆迭不同功能的晶粒，因而降低半导体装置的面积。再者，相较于具有以横向相邻方式配置的不同功能晶粒的信号路径，本公开的技术以面对面方式垂直堆迭的不同功能晶粒的信号路径较短；因此，本公开的技术以面对面方式垂直堆迭的不同功能晶粒可应用于高速电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 半导体装置 堆迭 垂直 方式配置 横向相邻 信号路径 高速电子装置 半导体晶粒 制造 通信 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一半导体逻辑晶粒，具有一第一主动面与一内部传导件，该内部传导件自该半导体逻辑晶粒的该第一主动面延伸至一背面；一半导体存储器晶粒，堆迭至该半导体逻辑晶粒上，其中该半导体逻辑晶粒的该第一主动面面对该半导体存储器晶粒的一第二主动面；以及一凸块结构，电连接该第一主动面上的一第一终端至该第二主动面上的一第二终端。
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