[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710622543.0 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108630279B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 清水麻衣;加藤光司;鎌田义彦;酒向万里生 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种意在缩短读出时间的半导体存储装置。半导体存储装置具备：第一存储单元(MT)，电连接在第一位线(BL)及第一字线(WL)；第二存储单元(MT)，电连接在第二位线(BL)及所述第一字线；以及第一电路(42)，对所述第一字线施加电压。所述第一电路在所述第一存储单元的读出中，对所述第一字线供给第一电压(VA)，在所述第二存储单元的读出中，对所述第一字线供给比所述第一电压大的第二电压(VK1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：第一存储单元，电连接在第一位线及第一字线；第二存储单元，电连接在第二位线及所述第一字线；以及第一电路，对所述第一字线施加电压；且所述第一电路，在所述第一存储单元的读出中对所述第一字线供给第一电压，在所述第二存储单元的读出中对所述第一字线供给比所述第一电压大的第二电压。
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