[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710622691.2 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108615758B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周洛龙;郑永均;朴正熙;李钟锡;千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈鹏;李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，可包括：n‑型层，依次布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p型区域，布置在n‑型层中；辅助n+型区域，布置在p型区域上或p型区域中；n+型区域，布置在p型区域中；辅助电极，布置在辅助n+型区域和p型区域上；栅电极，与辅助电极分离并布置在n‑型层上；源电极，与辅助电极和栅电极分离；以及漏电极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，辅助n+型区域与n+型区域彼此分离，并且源电极与n+型区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p型区域，布置在所述n‑型层中；辅助n+型区域，布置在所述p型区域上或所述p型区域中；n+型区域，布置在所述p型区域中；辅助电极，布置在所述辅助n+型区域和所述p型区域上；栅电极，与所述辅助电极分离并布置在所述n‑型层上；源电极，与所述辅助电极和所述栅电极分离；以及漏电极，布置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，所述辅助n+型区域与所述n+型区域彼此分离，并且所述源电极与所述n+型区域接触。
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